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机械剥离单层MoS2

机械剥离单层MoS2, 剥离到带标记氧化层硅片上,大于30um。有偿提供拉曼、PL, 以及拉曼PL Mapping测试原始数据。

机械剥离单层MoSe2

机械剥离单层MoSe2 少层MoSe2,尺寸大于10um。基底为带标记氧化层硅片。有偿提供测试原始数据。

机械剥离单层WS2

单层WS2,剥离到带数字标记的氧化层硅片上,方便显微镜下寻找,也可以指定其他基底进行剥离或者转移。单层大于20um。有偿提供测试原始数据。



机械剥离单层WSe2

机械剥离单层WSe2, 少层WSe2,尺寸大于20um。基底为带标记氧化层硅片。有偿提供测试原始数据。


机械剥离单层石墨烯

机械剥离单层graphene,大于30um尺寸。有偿提供测试原始数据。